céramique piézoélectrique fritté à basse température

Dans le développement d'une variété de formulations de céramique piézoélectrique frittées à basse température, mais aussi pour améliorer le processus pour réduire la température de frittage des anneaux en céramique piézoélectrique est exploré. Processus de caractéristiques de frittage en céramique piézoélectrique .1972 lm. Brom Utiliser la méthode sol-gel pour obtenir une poudre ultra-fin de haute pureté de PLZT, des anneaux piézores avec des électrodes d'argent prépare l'échantillon de poudre à 1 050 ~ 1 170 ℃, le tir dans une atmosphère d'oxygène consiste à obtenir une structure uniforme de PLZT transparente transparente La céramique piézotique la même année, G.H.Haerling PLZT Piezocéramics à haute température a préparé différentes conditions de broyage par frittage à chaud, qui peut être inférieure à la température de frittage ordinaire de 150 ~ 200 ℃. En obtenant le PLZT PIEZO pour le transducteur de sonar dans le 20e siècle après les années 80, la céramique de pression pour la technologie de fraisage de farine a été développée. United States S.L.Swartz a une méthode de synthèse en deux étapes en 1984, la méthode japonaise K.Kegawa a offert une méthode de synthèse chimique en 1986h . Yamamura et d'autres coprécipitation chimique en plusieurs étapes offrent la synthèse de Pb (MG1 / 3NB2 / 3) peut être obtenue à environ 1 000 ℃ frittage à basse température .1992 T yamamoto offrent une méthode de synthèse chimique partielle selon la synthèse précédente. La conduite d'un transducteur piézoélectrique pour le matériau piézoélectrique PZTN synthétisé par le processus de fraisage est densément fritté à 1 000 ℃ avec une densité pouvant atteindre 8,0 g / cm. La méthode de base et la comparaison du frittage à basse température de la céramique piézoélectrique sont effectuées pour réduire la température de frittage du matériau en céramique piézoélectrique. C'est généralement effectué en ajoutant un flux et en améliorant le processus.